Verfahren

Bei der Lithografie gibt es mehrere Verfahren, die sich unterscheiden hinsichtlich.

• der Wellenlänge des verwendeten "Lichts" und
• des Abstandes bzw. Kontakts zwischen Fotomaske und Fotolack.

Projektionsbelichtung

Wegen der endlichen Schärfentiefe der Abbildungsoptiken können nur dünne Fotolacke mit dieser Methode belichtet werden, während mit Kontakt- und Proximitybelichtung auch Lithografie in dicken Fotolacken möglich ist (ein extremes Beispiel ist der Dicklack SU-8).Bei der Projektionsbelichtung wird die Fotomaske nicht im Maßstab 1:1 im Resist abgebildet, wie es bei der Kontakt- und Proximitybelichtung naturgemäß der Fall ist, sondern die Masken werden durch ein Linsensystem verkleinert (typischerweise im Maßstab 5:1) abgebildet. Da die Abbildung einer Maske auf diese Weise nicht den ganzen Wafer abdecken kann, werden die Wafer mittels extrem präziser Mechaniken verfahren und so positioniert, daß die Abbilder der Maske auf einem Raster mit engen Toleranzen liegen (sogenanntes "step-and-repeat"-Verfahren, die dazu verwendeten Apparate heißen auch "Stepper"). Um tiefere Strukturen (genauer: Strukturen mit hohen Aspektverhältnissen, also Strukturen, die tiefer sind als breit) ausgehend von der Projektionsbelichtung zu erzeugen, wird der (dünne) Fotolack auf eine dicke Schicht von Material aufgebracht, das nach der Entwicklung anisotrop geätzt werden kann. Anisotrope Ätzverfahren sind beispielsweise Reaktivionenätzen oder Ionenstrahlätzen.